Учёные из МФТИ создали материал для революционной энергонезависимой памяти

Учёные из МФТИ создали материал для революционной энергонезависимой памяти

Учёные из Московского физико-технического института сумели создать сегнетоэлектрические плёнки из оксида гафния, которые отличаются сверхмалой толщиной - всего 2,5 нанометра. Как сообщила пресс-служба МФТИ, новый материал может положить начало существованию энергонезависимой памяти нового типа. Более того, скорость её работы не уступала бы современным чипам оперативной памяти при емкости, равной таковым у жестких дисков. В основе памяти нового типа будут лежать сегнетоэлектрические туннельные переходы, которые рассматриваются многими учеными мира, как наиболее перспективный технологический процесс.

Принцип работы таких сегнетоэлектрических переходов довольно сложен. Полученное вещество не проводит электрический ток, но, благодаря законам квантового мира, может создавать отпечаток направления внешнего электрического поля. Это меняет сам принцип записи и чтения информации, однако позволяет достичь невиданной ранее плотности записи, а также скорости работы с информацией. Еще одним достижением новой разработки стало то, что она совместима и может работать вместе с кремниевыми чипами. Ранее такой союз был невозможен, а отказ от кремниевой технологии производства в настоящее время даже не рассматривается производителями, поскольку практически вся электронно-цифровая индустрия базируется именно на ней.

На самом деле, изыскания в этой области не новы, однако теперь удалось создать действительно работающую модель с функционирующими проводящими туннелями на кремниевой подложке. К сожалению, даже примерная дата появления первых коммерческих типов энергонезависимой памяти не раскрывается.

0 комментариев
Войдите, чтобы оставить комментарий. Простая в два клика.
Пока никто не оставил комментариев к этой статье. Вы можете стать первым!